STGH30H65DFB-2AG
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STMicroelectronics STGH30H65DFB-2AG

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型号

STGH30H65DFB-2AG

utmel 编号

2381-STGH30H65DFB-2AG

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

AUTOMOTIVE-GRADE TRENCH GATE FIE

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STGH30H65DFB-2AG
STGH30H65DFB-2AG STMicroelectronics AUTOMOTIVE-GRADE TRENCH GATE FIE

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STGH30H65DFB-2AG详情

STMicroelectronics STGH30H65DFB-2AG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

  • 供应商器件包装

    H2Pak-2

  • 厂商

    STMicroelectronics

  • Product Status

    活跃

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    60 A

  • Test Conditions

    400V, 30A, 10Ohm, 15V

  • Base Product Number

    STGH30H

  • Maximum Gate Emitter Voltage

    20V

  • Package Type

    H2PAK-2

  • Maximum Collector Emitter Voltage

    650 V

  • Qualification

    AEC-Q101

  • Pd - Power Dissipation

    260 W

  • Maximum Operating Temperature

    + 175 C

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    1.55 V

  • Minimum Operating Temperature

    - 55 C

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    1000

  • Continuous Collector Current at 25 C

    60 A

  • Mounting Styles

    通孔

  • Manufacturer

    STMicroelectronics

  • Brand

    STMicroelectronics

  • RoHS

    Details

  • Collector- Emitter Voltage VCEO Max

    650 V

  • 操作温度

    -55°C ~ 175°C (TJ)

  • 包装

    切割胶带

  • 子类别

    IGBTs

  • 技术

    Si

  • 配置

    Single

  • 输入类型

    Standard

  • 功率 - 最大

    260 W

  • 产品类别

    IGBT晶体管

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    650 V

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    2V @ 15V, 30A

  • IGBT类型

    沟渠现场停车

  • 闸门收费

    155 nC

  • 集极脉冲电流(Icm)

    90 A

  • Td(开/关)@25°C

    24ns/170ns

  • 开关能量

    555μJ (on), 300μJ (off)

  • 反向恢复时间(trr)

    28 ns

  • 产品类别

    IGBT晶体管

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技术文档: STMicroelectronics STGH30H65DFB-2AG.

STGH30H65DFB-2AG拓展信息

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