STMicroelectronics STGP10NB60SD

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

工厂交货时间

8 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

质量

6.000006g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Number of Elements

1

Test Conditions

480V, 10A, 1k Ω, 15V

Turn Off Delay Time

1.2 μs

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

PowerMESH™

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

600V

最大功率耗散

80W

额定电流

20A

基本部件号

STGP10

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

元素配置

Single

功率耗散

3.5W

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

接通延迟时间

700 ns

功率 - 最大

80W

晶体管应用

电源控制

上升时间

460ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

29A

反向恢复时间

37 ns

连续放电电流(ID)

10A

JEDEC-95代码

TO-220AB

漏源击穿电压

600V

接通时间

1160 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.75V @ 15V, 10A

关断时间-标准值（toff)

3100 ns

闸门收费

33nC

集极脉冲电流（Icm）

80A

Td（开/关）@25°C

700ns/1.2μs

开关能量

600μJ (on), 5mJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

5V

高度

9.15mm

长度

10.4mm

宽度

4.6mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅