STMicroelectronics STGP35N35LZ

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

质量

2.299997g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

345V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.7V

Number of Elements

1

Test Conditions

300V, 15A, 5V

Turn Off Delay Time

26.5 μs

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

PowerMESH™

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

电压箝位

最大功率耗散

176W

基本部件号

STGP35

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Logic

接通延迟时间

1.1 μs

功率 - 最大

176W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1.7V

最大集电极电流

40A

JEDEC-95代码

TO-220AB

接通时间

7600 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.7V @ 4.5V, 15A

关断时间-标准值（toff)

37000 ns

闸门收费

49nC

集极脉冲电流（Icm）

80A

Td（开/关）@25°C

1.1μs/26.5μs

栅极-发射极电压-最大值

12V

栅极-发射极Thr电压-最大值

2.3V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅