STMicroelectronics STGSB200M65DF2AG

安装类型

表面贴装

包装/外壳

1152-BBGA, FCBGA

供应商器件包装

1152-FBGA (35x35)

Number of I/Os

552

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.65

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

216 A

Base Product Number

STGSB200

厂商

STMicroelectronics

Product Status

活跃

Test Conditions

400V, 200A, 4.7Ohm, 15V

Qualification

AEC-Q100

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

200

Manufacturer

STMicroelectronics

Brand

STMicroelectronics

RoHS

Details

Maximum Gate Emitter Voltage

- 20 V, + 20 V

操作温度

-40°C ~ 100°C (TJ)

系列

Stratix® V GS

零件状态

活跃

子类别

IGBTs

电压 - 供电

0.82 V ~ 0.88 V

基本部件号

5SGSMD5

功率耗散

714

输入类型

Standard

功率 - 最大

714 W

逻辑元件/单元数

457000

产品类别

IGBT晶体管

总 RAM 位数

46769152

电压 - 集射极击穿（最大值）

650 V

LABs数量/ CLBs数量

172600

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.05V @ 15V, 200A

连续集电极电流

216

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

554 nC

集极脉冲电流（Icm）

700 A

Td（开/关）@25°C

122ns/250ns

开关能量

3.82mJ (on), 6.97mJ (off)

反向恢复时间(trr)

174.5 ns

产品类别

IGBT晶体管