STMicroelectronics STGW40NC60V
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STGW40NC60V
2381-STGW40NC60V
晶体管 - IGBT - 单个
TO-247-3
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STMICROELECTRONICS STGW40NC60V IGBT Single Transistor, 80 A, 2.5 V, 260 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
--最小包装量--
STGW40NC60V详情
STMicroelectronics STGW40NC60V重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.5V
Number of Elements
1
Test Conditions
390V, 40A, 3.3 Ω, 15V
Turn Off Delay Time
170 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
PowerMESH™
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
600V
最大功率耗散
260W
额定电流
50A
基本部件号
STGW40
引脚数量
3
元素配置
Single
功率耗散
260W
输入类型
Standard
接通延迟时间
43 ns
晶体管应用
电源控制
上升时间
17ns
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
80A
接通时间
61 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.5V @ 15V, 40A
关断时间-标准值(toff)
247 ns
闸门收费
214nC
集极脉冲电流(Icm)
200A
Td(开/关)@25°C
43ns/140ns
开关能量
330μJ (on), 720μJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
20V
栅极-发射极Thr电压-最大值
5V
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STGW40NC60V拓展信息
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