STMicroelectronics STGW40S120DF3

工厂交货时间

41 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Number of Elements

1

Test Conditions

600V, 40A, 15 Ω, 15V

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

不适用

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

468W

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

STGW40

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

468W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

2.15V

最大集电极电流

80A

反向恢复时间

355 ns

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

接通时间

50 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.15V @ 15V, 40A

关断时间-标准值（toff)

158.46 ns

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

129nC

集极脉冲电流（Icm）

160A

Td（开/关）@25°C

35ns/148ns

开关能量

1.43mJ (on), 3.83mJ (off)

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant