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10

￥20.003514
100

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500

￥17.803052
1000

￥16.795334

STMicroelectronics STGWA20H65DFB2

Name: STGWA20H65DFB2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 2381-STGWA20H65DFB2
Price: 21.2 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

STGWA20H65DFB2

品牌

STMicroelectronics

utmel 编号

2381-STGWA20H65DFB2

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

TO-247-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Transistor IGBT Chip N-Channel 650V 20A 3-Pin TO-247 Tube

起订量

--最小包装量--

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STGWA20H65DFB2 STMicroelectronics Transistor IGBT Chip N-Channel 650V 20A 3-Pin TO-247 Tube

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STGWA20H65DFB2详情

技术参数

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STMicroelectronics STGWA20H65DFB2重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
包装/外壳

TO-247-3
安装类型

通孔
供应商器件包装

TO-247 Long Leads
Brand

STMicroelectronics
Base Product Number

STGWA20
Collector-Emitter Saturation Voltage

1.65
Maximum Gate Emitter Voltage

±20V
Package Type

TO-247
Maximum Collector Emitter Voltage

650 V
Pd - Power Dissipation

147 W
Maximum Operating Temperature

+ 175 C
Unit Weight

0.215171 oz
Minimum Operating Temperature

- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

600
Continuous Collector Current at 25 C

40 A
Mounting Styles

通孔
Manufacturer

STMicroelectronics
RoHS

Details
Collector- Emitter Voltage VCEO Max

650 V
Package

Tube
Current-Collector (Ic) (Max)

40 A
厂商

STMicroelectronics
Product Status

活跃
Test Conditions

400V, 20A, 10Ohm, 15V
包装

Tube
操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)
系列

HB2
子类别

IGBTs
技术

Si
引脚数量

3
配置

Single
功率耗散

147
输入类型

Standard
功率 - 最大

147 W
产品类别

IGBT晶体管
电压 - 集射极击穿（最大值）

650 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.1V @ 15V, 20A
连续集电极电流

40
IGBT类型

沟渠现场停车
闸门收费

56 nC
集极脉冲电流（Icm）

60 A
Td（开/关）@25°C

16ns/78.8ns
开关能量

265µJ (on), 214µJ (off)
反向恢复时间(trr)

215 ns
产品类别

IGBT晶体管

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