STMicroelectronics STGWA20H65DFB2

包装/外壳

TO-247-3

安装类型

通孔

供应商器件包装

TO-247 Long Leads

Brand

STMicroelectronics

Base Product Number

STGWA20

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.65

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Package Type

TO-247

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Pd - Power Dissipation

147 W

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Unit Weight

0.215171 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

600

Continuous Collector Current at 25 C

40 A

Mounting Styles

通孔

Manufacturer

STMicroelectronics

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

650 V

Package

Tube

Current-Collector (Ic) (Max)

40 A

厂商

STMicroelectronics

Product Status

活跃

Test Conditions

400V, 20A, 10Ohm, 15V

包装

Tube

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

HB2

子类别

IGBTs

技术

Si

引脚数量

3

配置

Single

功率耗散

147

输入类型

Standard

功率 - 最大

147 W

产品类别

IGBT晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）

650 V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.1V @ 15V, 20A

连续集电极电流

40

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

56 nC

集极脉冲电流（Icm）

60 A

Td（开/关）@25°C

16ns/78.8ns

开关能量

265µJ (on), 214µJ (off)

反向恢复时间(trr)

215 ns

产品类别

IGBT晶体管