STMicroelectronics STGWA60H65DFB
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STGWA60H65DFB
2381-STGWA60H65DFB
晶体管 - IGBT - 单个
TO-247-3
大陆
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Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 3-Pin TO-247 Tube
--最小包装量--
STGWA60H65DFB详情
STMicroelectronics STGWA60H65DFB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
20 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
650V
Test Conditions
400V, 60A, 10 Ω, 15V
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
375W
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
STGWA60
元素配置
Single
输入类型
Standard
功率 - 最大
375W
集电极发射器电压(VCEO)
2V
最大集电极电流
80A
反向恢复时间
60 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2V @ 15V, 60A
IGBT类型
沟渠现场停车
闸门收费
306nC
集极脉冲电流(Icm)
240A
Td(开/关)@25°C
66ns/210ns
开关能量
1.59mJ (on), 900μJ (off)
RoHS状态
ROHS3 Compliant
STGWA60H65DFB拓展信息
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