STMicroelectronics STGWA75H65DFB2

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-SMD, No Lead

供应商器件包装

TO-247 Long Leads

Package

Tape & Reel (TR)

Base Product Number

SG-8101

厂商

EPSON

Product Status

活跃

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.55

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Package Type

TO-247

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Pd - Power Dissipation

375 W

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Unit Weight

0.215171 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

600

Continuous Collector Current at 25 C

115 A

Mounting Styles

通孔

Manufacturer

STMicroelectronics

Brand

STMicroelectronics

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

650 V

Current-Collector (Ic) (Max)

115 A

Test Conditions

400V, 75A, 2.2Ohm, 15V

操作温度

-40°C ~ 85°C

系列

SG-8101

包装

Tube

尺寸/尺寸

0.276 L x 0.197 W (7.00mm x 5.00mm)

类型

XO (Standard)

子类别

IGBTs

电压 - 供电

1.8V ~ 3.3V

频率

24.74 MHz

频率稳定性

±15ppm

输出量

CMOS

引脚数量

3

功能

Standby (Power Down)

基本谐振器

Crystal

最大电流源

6.8mA (Typ)

电流 - 电源（禁用）（最大值）

1.1µA

配置

Single

功率耗散

357

扩频带宽

-

输入类型

Standard

功率 - 最大

357 W

产品类别

IGBT晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）

650 V

绝对牵引范围 (APR)

-

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2V @ 15V, 75A

连续集电极电流

115

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

207 nC

集极脉冲电流（Icm）

225 A

Td（开/关）@25°C

28ns/100ns

开关能量

1.428mJ (on), 1.05mJ (off)

反向恢复时间(trr)

88 ns

产品类别

IGBT晶体管

座位高度(最大)

0.055 (1.40mm)

评级结果

-