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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥10.114602
10
¥9.542078
100
¥9.001962
500
¥8.492413
1000
¥8.011713
STMicroelectronics STL20DNF06LAG
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- 对比
STL20DNF06LAG
2381-STL20DNF06LAG
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-PowerVDFN
大陆
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MOSFET 2NCH 60V 20A POWERFLAT
--最小包装量--
¥
总价: ¥
STL20DNF06LAG详情
STMicroelectronics STL20DNF06LAG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerVDFN
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
20A
Number of Elements
2
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
STL20
JESD-30代码
R-PDSO-F6
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
功率 - 最大
75W
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
40m Ω @ 4A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
670pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
22.5nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
60V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
20A
漏极-源极导通最大电阻
0.05Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
80A
DS 击穿电压-最小值
60V
雪崩能量等级(Eas)
210 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
RoHS状态
ROHS3 Compliant
STL20DNF06LAG拓展信息
STMicroelectronics
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