STMicroelectronics STL60N32N3LL

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

32A 60A

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

37 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

STripFET™

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

最大功率耗散

50W

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

STL60

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-N4

资历状况

不合格

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

50W

箱体转运

DRAIN

功率 - 最大

23W 50W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

9.2m Ω @ 6.8A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 1μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

950pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6.6nC @ 4.5V

上升时间

30ns

下降时间（典型值）

12 ns

连续放电电流(ID)

60A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

32A

漏极-源极导通最大电阻

0.12Ohm

漏源击穿电压

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅