STMicroelectronics STL76DN4LF7AG

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

40A Tc

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7

零件状态

活跃

终止次数

6

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-F6

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

功率 - 最大

71W Tc

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

6m Ω @ 10A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

956pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

17nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

40V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

40A

漏极-源极导通最大电阻

0.012Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

160A

DS 击穿电压-最小值

40V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

RoHS状态

符合RoHS标准