STP95N4F3
STP95N4F3

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STMicroelectronics STP95N4F3

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型号

STP95N4F3

utmel 编号

2381-STP95N4F3

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-220-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N Ch 40V 5.4mOhm 80A

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STP95N4F3
STP95N4F3 STMicroelectronics MOSFET N Ch 40V 5.4mOhm 80A

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STP95N4F3详情

STMicroelectronics STP95N4F3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)

  • 工厂交货时间

    12 Weeks

  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-220-3

  • 引脚数

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    80A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    110W Tc

  • Turn Off Delay Time

    40 ns

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 系列

    STripFET™ III

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 基本部件号

    STP95

  • 引脚数量

    3

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    110W

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 接通延迟时间

    15 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    6.2m Ω @ 40A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    2200pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    54nC @ 10V

  • 上升时间

    50ns

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 下降时间(典型值)

    15 ns

  • 连续放电电流(ID)

    80A

  • 阈值电压

    2V

  • JEDEC-95代码

    TO-220AB

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.0062Ohm

  • 漏源击穿电压

    40V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    400 mJ

  • 高度

    15.75mm

  • 长度

    10.4mm

  • 宽度

    4.6mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

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