STMicroelectronics STS3C2F100

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

33 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

STripFET™

JESD-609代码

e4

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

镍钯金

电压 - 额定直流

100V

最大功率耗散

2W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

3A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

STS3D

引脚数量

8

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

场效应管类型

N and P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

145m Ω @ 1.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

460pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

20nC @ 10V

上升时间

20ns

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

下降时间（典型值）

7.5 ns

连续放电电流(ID)

3A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3A

漏极-源极导通最大电阻

0.145Ohm

漏源击穿电压

100V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

无铅

无铅