STMicroelectronics STS4DNF60

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

17 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

STripFET™

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

附加功能

低阈值

最大功率耗散

2W

终端形式

鸥翼

基本部件号

STS4D

引脚数量

8

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

接通延迟时间

7 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

90m Ω @ 2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

315pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

10nC @ 10V

上升时间

18ns

漏源电压 (Vdss)

60V

下降时间（典型值）

6 ns

连续放电电流(ID)

4A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4A

漏极-源极导通最大电阻

0.09Ohm

漏源击穿电压

60V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

16A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant