STT7P2UH7
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STMicroelectronics STT7P2UH7

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型号

STT7P2UH7

utmel 编号

2381-STT7P2UH7

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

SOT-23-6

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET POWER MOSFET

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STT7P2UH7
STT7P2UH7 STMicroelectronics MOSFET POWER MOSFET

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STT7P2UH7详情

STMicroelectronics STT7P2UH7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SOT-23-6

  • 质量

    36.003894mg

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    7A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    1.5V 4.5V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    1.6W Tc

  • Turn Off Delay Time

    128 ns

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Cut Tape (CT)

  • 系列

    STripFET™

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电阻

    19.5mOhm

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 基本部件号

    STT7P

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G6

  • 通道数量

    1

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 接通延迟时间

    12.5 ns

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    22.5m Ω @ 3.5A, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    2390pF @ 16V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    22nC @ 4.5V

  • 上升时间

    30.5ns

  • Vgs(最大值)

    ±8V

  • 下降时间(典型值)

    84.5 ns

  • 连续放电电流(ID)

    7A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    8V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    7A

  • 漏源击穿电压

    20V

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    28A

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: STMicroelectronics STT7P2UH7.

右边的3个型号有着和STMicroelectronics & STT7P2UH7相似的参数规格。

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