Texas Instruments CSD17556Q5BT

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

工厂交货时间

6 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3.1W Ta 191W Tc

Turn Off Delay Time

27 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

NexFET™

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

附加功能

雪崩 额定

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

CSD17556

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

14 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.4m Ω @ 40A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.65V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

7020pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

39nC @ 4.5V

上升时间

26ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

12 ns

连续放电电流(ID)

215A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

34A

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

214A

DS 击穿电压-最小值

30V

雪崩能量等级（Eas）

500 mJ

长度

5mm

宽度

6mm

器件厚度

950μm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅