Texas Instruments CSD19534Q5AT

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

6 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

引脚数

8

质量

24.012046mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

50A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3.2W Ta 63W Tc

Turn Off Delay Time

20 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

NexFET™

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

附加功能

雪崩 额定

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

CSD19534

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

3.2W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

9 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

15.1m Ω @ 10A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1680pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

22nC @ 10V

上升时间

14ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

6 ns

连续放电电流(ID)

44A

阈值电压

2.8V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

100V

雪崩能量等级（Eas）

55 mJ

最大结点温度（Tj）

150°C

反馈上限-最大值 (Crss)

7.4 pF

高度

1.1mm

长度

4.9mm

宽度

6mm

器件厚度

1mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅