Texas Instruments CSD25310Q2

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

8 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-WDFN Exposed Pad

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

20A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.9W Ta

Turn Off Delay Time

15 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

NexFET™

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

CSD25310

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.9W

箱体转运

SOURCE

接通延迟时间

8 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

23.9m Ω @ 5A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

655pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

4.7nC @ 4.5V

上升时间

15ns

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±8V

下降时间（典型值）

5 ns

连续放电电流(ID)

20A

阈值电压

-850mV

栅极至源极电压(Vgs)

8V

漏极-源极导通最大电阻

0.089Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

48A

DS 击穿电压-最小值

20V

长度

2mm

宽度

2mm

器件厚度

750μm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅