Texas Instruments CSD86311W1723

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

6 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

12-UFBGA, DSBGA

引脚数

12

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

13.2 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

NexFET™

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

12

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

HTS代码

8541.29.00.95

最大功率耗散

1.5W

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

CSD86311

引脚数量

12

资历状况

不合格

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.5W

接通延迟时间

5.4 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

39m Ω @ 2A, 8V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

585pF @ 12.5V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

4nC @ 4.5V

上升时间

4.3ns

漏源电压 (Vdss)

25V

下降时间（典型值）

2.9 ns

连续放电电流(ID)

4.5A

阈值电压

1V

栅极至源极电压(Vgs)

10V

漏极-源极导通最大电阻

0.051Ohm

漏源击穿电压

25V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

栅源电压

1 V

反馈上限-最大值 (Crss)

13 pF

高度

625μm

长度

0m

宽度

0m

器件厚度

375μm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅