Texas Instruments CSD86360Q5D

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

6 Weeks

触点镀层

Gold

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerLDFN

引脚数

8

Turn Off Delay Time

29.3 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

NexFET™

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最大功率耗散

13W

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

CSD86360

输入电压-Nom

12V

通道数量

2

模拟 IC - 其他类型

开关稳压器

接通延迟时间

9.5 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Half Bridge)

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2060pF @ 12.5

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

12.6nC @ 4.5V

上升时间

14.8ns

供应电流-最大值(Isup)

50mA

漏源电压 (Vdss)

25V

下降时间（典型值）

6.6 ns

切换器配置

BUCK

连续放电电流(ID)

50A

栅极至源极电压(Vgs)

10V

开关频率-最大值

1500kHz

漏源击穿电压

25V

场效应管特性

逻辑电平门

漏源电阻

3.7mOhm

高度

1.5mm

长度

5mm

宽度

6mm

器件厚度

1.5mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅