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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥15.63077
10
¥14.746006
100
¥13.911334
500
¥13.123898
1000
¥12.381036
Texas Instruments CSD87333Q3DT
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- 对比
CSD87333Q3DT
2502-CSD87333Q3DT
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-PowerTDFN
大陆
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MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON
--最小包装量--
¥
总价: ¥
CSD87333Q3DT详情
Texas Instruments CSD87333Q3DT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
工厂交货时间
6 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
触点镀层
Gold
引脚数
8
质量
75.891673mg
Turn Off Delay Time
9.4 ns
操作温度
125°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
NexFET™
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最大功率耗散
6W
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.65mm
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
CSD87333
输入电压-Nom
12V
通道数量
2
模拟 IC - 其他类型
开关控制器
元素配置
Single
接通延迟时间
2.1 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Rds On(Max)@Id,Vgs
14.3m Ω @ 4A, 8V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
662pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
4.6nC @ 4.5V
上升时间
3.9ns
漏源电压 (Vdss)
30V
下降时间(典型值)
2.2 ns
切换器配置
BUCK-BOOST
连续放电电流(ID)
15A
栅极至源极电压(Vgs)
950mV
开关频率-最大值
1500kHz
场效应管特性
Logic Level Gate, 5V Drive
长度
3.3mm
座位高度(最大)
1.05mm
宽度
3.3mm
器件厚度
900μm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
含铅
CSD87333Q3DT拓展信息
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
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Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
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