Texas Instruments CSD88539ND

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

6 Weeks

触点镀层

Gold

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

质量

540.001716mg

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

5 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

NexFET™

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

附加功能

雪崩 额定

最大功率耗散

2.1W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

基本部件号

CSD88539

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.1W

接通延迟时间

6 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

28m Ω @ 5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.6V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

741pF @ 30V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

9.4nC @ 10V

上升时间

9ns

漏源电压 (Vdss)

60V

下降时间（典型值）

4 ns

连续放电电流(ID)

15A

阈值电压

3V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

6.3A

漏极-源极导通最大电阻

0.034Ohm

漏源击穿电压

60V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

46A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

高度

1.75mm

长度

4.9mm

宽度

3.91mm

器件厚度

1.58mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅