Texas Instruments TPS1120DG4

底架

表面贴装

包装/外壳

SOIC

引脚数

8

Number of Elements

2

Power Dissipation (Max)

840mW

Turn Off Delay Time

13 ns

JESD-609代码

e4

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

最高工作温度

125°C

最小工作温度

-40°C

附加功能

LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ESD PROTECTED

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

引脚数量

8

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

840mW

接通延迟时间

4.5 ns

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

10ns

漏源电压 (Vdss)

-15V

极性/通道类型

P-CHANNEL

下降时间（典型值）

10 ns

连续放电电流(ID)

1.17A

栅极至源极电压(Vgs)

2V

漏源击穿电压

15V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

漏源电阻

180mOhm

最大rds

180 mΩ

高度

1.58mm

长度

4.9mm

宽度

3.91mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅