Texas Instruments TPS1120DR

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

工厂交货时间

6 Weeks

触点镀层

Gold

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

13 ns

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

附加功能

LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ESD PROTECTED

电压 - 额定直流

-15V

最大功率耗散

840mW

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-1.17A

基本部件号

TPS1120

引脚数量

8

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

840mW

接通延迟时间

4.5 ns

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

180m Ω @ 1.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 250μA

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

5.45nC @ 10V

上升时间

10ns

下降时间（典型值）

10 ns

连续放电电流(ID)

1.17A

栅极至源极电压(Vgs)

2V

漏极-源极导通最大电阻

0.4Ohm

漏源击穿电压

15V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

高度

1.75mm

长度

4.9mm

宽度

3.91mm

器件厚度

1.58mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅