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1

￥0.408653
10

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100

￥0.3637
500

￥0.343113
1000

￥0.323692

Vishay SI2301CDS-T1-GE3

Name: SI2301CDS-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 2668-SI2301CDS-T1-GE3
Price: 0.41 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

SI2301CDS-T1-GE3

品牌

Vishay

utmel 编号

2668-SI2301CDS-T1-GE3

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power MOSFET, P Channel, 20 V, 3.1 A, 112 Milliohms, SOT-23 (TO-236), 3 Pins, Surface Mount

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SI2301CDS-T1-GE3 Vishay Power MOSFET, P Channel, 20 V, 3.1 A, 112 Milliohms, SOT-23 (TO-236), 3 Pins, Surface Mount

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SI2301CDS-T1-GE3详情

技术参数

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Vishay SI2301CDS-T1-GE3重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
触点镀层

Tin
底架

表面贴装
引脚数

3
质量

1.437803 g
Case/Package

SOT-23
Fall Time

35 ns
Number of Elements

1
RoHS

Compliant
Schedule B

8541210080, 8541210080|8541210080, 8541210080|8541210080|8541210080, 8541210080|8541210080|8541210080|8541210080
Turn Off Delay Time

30 ns
包装

切割胶带
电阻

112 mΩ
最高工作温度

150 °C
最小工作温度

-55 °C
最大功率耗散

860 mW
通道数量

1
元素配置

Single
功率耗散

1.6 W
接通延迟时间

11 ns
上升时间

35 ns
漏源电压 (Vdss)

-20 V
连续放电电流(ID)

-3.1 A
阈值电压

-1 V
栅极至源极电压(Vgs)

8 V
漏源击穿电压

-20 V
输入电容

405 pF
最大结点温度（Tj）

150 °C
漏源电阻

90 mΩ
最大rds

112 mΩ
栅源电压

-400 mV
高度

1.12 mm
长度

3.04 mm
宽度

1.4 mm
辐射硬化

无
达到SVHC

无SVHC
无铅

无铅

0个相似型号

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