SI7489DP-T1-GE3
SI7489DP-T1-GE3

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Vishay Intertechnologies SI7489DP-T1-GE3

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型号

SI7489DP-T1-GE3

utmel 编号

2668-SI7489DP-T1-GE3

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

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ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.041ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, POWERPAK SO-8

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SI7489DP-T1-GE3
SI7489DP-T1-GE3 Vishay Intertechnologies Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.041ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, POWERPAK SO-8

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SI7489DP-T1-GE3详情

Vishay Intertechnologies SI7489DP-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    11 Weeks, 1 Day

  • 表面安装

    YES

  • 材料

    brush - graphite; conductor - copper; clamp - brass

  • 终端数量

    8

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 外壳材料

    1

  • Gross weight

    5.26

  • Transport packaging size/quantity

    41*29*36/1000

  • Wire length

    (L) - mm

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

  • Package Description

    POWERPAK SO-8

  • Drain Current-Max (ID)

    28 A

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Operating Temperature-Min

    -55 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    小概要

  • Turn-off Time-Max (toff)

    315 ns

  • Turn-on Time-Max (ton)

    55 ns

  • JESD-609代码

    e3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 类型

    graphite brush for collector motor with spring

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn) - annealed

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    FLAT

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 深度

    (D) - 17 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • JESD-30代码

    R-PDSO-F8

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    P-CHANNEL

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.041 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    40 A

  • DS 击穿电压-最小值

    100 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    61 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    83 W

  • 饱和电流

    1

  • 高度

    (H) - 8 mm

  • 宽度

    (W) - 14.4 mm

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技术文档: Vishay Intertechnologies SI7489DP-T1-GE3.

SI7489DP-T1-GE3拓展信息

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