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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥7.653251
10
¥7.220052
100
¥6.81137
500
¥6.425813
1000
¥6.062095
Vishay Intertechnologies SI7489DP-T1-GE3
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- 对比
SI7489DP-T1-GE3
2668-SI7489DP-T1-GE3
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
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Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.041ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, POWERPAK SO-8
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SI7489DP-T1-GE3详情
Vishay Intertechnologies SI7489DP-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
11 Weeks, 1 Day
表面安装
YES
材料
brush - graphite; conductor - copper; clamp - brass
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Gross weight
5.26
Transport packaging size/quantity
41*29*36/1000
Wire length
(L) - mm
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
POWERPAK SO-8
Drain Current-Max (ID)
28 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Turn-off Time-Max (toff)
315 ns
Turn-on Time-Max (ton)
55 ns
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
类型
graphite brush for collector motor with spring
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
深度
(D) - 17 mm
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PDSO-F8
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.041 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
40 A
DS 击穿电压-最小值
100 V
雪崩能量等级(Eas)
61 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
83 W
饱和电流
1
高度
(H) - 8 mm
宽度
(W) - 14.4 mm
SI7489DP-T1-GE3拓展信息
Vishay Intertechnologies
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