SIR626DP-T1-RE3
SIR626DP-T1-RE3

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Vishay Intertechnologies SIR626DP-T1-RE3

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型号

SIR626DP-T1-RE3

utmel 编号

2668-SIR626DP-T1-RE3

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor

起订量

1最小包装量--

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SIR626DP-T1-RE3
SIR626DP-T1-RE3 Vishay Intertechnologies Power Field-Effect Transistor

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SIR626DP-T1-RE3详情

Vishay Intertechnologies SIR626DP-T1-RE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    16 Weeks, 3 Days

  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    5

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 外壳材料

    1

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

  • Package Description

    SOP-8

  • Date Of Intro

    2017-03-22

  • Drain Current-Max (ID)

    100 A

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Operating Temperature-Min

    -55 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    小概要

  • Turn-off Time-Max (toff)

    78 ns

  • Turn-on Time-Max (ton)

    88 ns

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    FLAT

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    unknown

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • JESD-30代码

    R-PDSO-F5

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.002 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    200 A

  • DS 击穿电压-最小值

    60 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    125 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    104 W

0个相似型号

技术文档: Vishay Intertechnologies SIR626DP-T1-RE3.

SIR626DP-T1-RE3拓展信息

SI4160DY-T1-GE3
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Vishay Intertechnologies

IRF540PBF
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SQJ418EP-T1_GE3
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IRL640
IRL640

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SI2318DS-T1-GE3
SI2318DS-T1-GE3

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SQ1470AEH-T1_GE3
SQ1470AEH-T1_GE3

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SIUD403ED-T1-GE3
SIUD403ED-T1-GE3

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IRFL9110TRPBF
IRFL9110TRPBF

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SI4848DY-T1-E3
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Vishay Intertechnologies

IRF740PBF
IRF740PBF

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