Vishay Intertechnologies SIR626DP-T1-RE3
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SIR626DP-T1-RE3
2668-SIR626DP-T1-RE3
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Power Field-Effect Transistor
1最小包装量--
SIR626DP-T1-RE3详情
Vishay Intertechnologies SIR626DP-T1-RE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks, 3 Days
表面安装
YES
终端数量
5
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
SOP-8
Date Of Intro
2017-03-22
Drain Current-Max (ID)
100 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Turn-off Time-Max (toff)
78 ns
Turn-on Time-Max (ton)
88 ns
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-F5
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.002 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
200 A
DS 击穿电压-最小值
60 V
雪崩能量等级(Eas)
125 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
104 W
SIR626DP-T1-RE3拓展信息
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