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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.913313
10
¥1.805013
100
¥1.70284
500
¥1.606455
1000
¥1.515526
Vishay Intertechnologies SI4160DY-T1-GE3
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- 对比
SI4160DY-T1-GE3
2668-SI4160DY-T1-GE3
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
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Small Signal Field-Effect Transistor, 25.4A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MS-012, SOIC-8
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SI4160DY-T1-GE3详情
Vishay Intertechnologies SI4160DY-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MS-012, SOIC-8
Drain Current-Max (ID)
25.4 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PDSO-G8
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
MS-012AA
漏极-源极导通最大电阻
0.0049 Ω
DS 击穿电压-最小值
30 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
5.7 W
饱和电流
1
SI4160DY-T1-GE3拓展信息
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