注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.391782
10
¥3.199795
100
¥3.018669
500
¥2.847808
1000
¥2.686607
Vishay Intertechnologies IRF540PBF
- 收藏
- 对比
IRF540PBF
2668-IRF540PBF
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
立即发货

Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IRF540PBF详情
Vishay Intertechnologies IRF540PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Part Package Code
TO-220AB
Drain Current-Max (ID)
28 A
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Shape
RECTANGULAR
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-55 °C
Operating Temperature-Max
175 °C
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
附加功能
雪崩 额定
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
漏极-源极导通最大电阻
0.077 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
110 A
DS 击穿电压-最小值
100 V
雪崩能量等级(Eas)
230 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
150 W
反馈上限-最大值 (Crss)
120 pF
饱和电流
1
IRF540PBF拓展信息
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies







哦! 它是空的。