Vishay Intertechnologies IRL640
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IRL640
2668-IRL640
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB,
1最小包装量--
IRL640详情
Vishay Intertechnologies IRL640重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Drain Current-Max (ID)
17 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
Type of integrated circuit
STM32 ARM microcontroller
Mounting
SMD
Number of inputs/outputs
27
Case
UFQFN32
Kind of architecture
Cortex M0+
Memory
12kB SRAM
Number of 12bit A/D converters
1
Number of comparators
1
Number of 12bit D/A converters
1
Gross weight
0.5 g
Operating temperature
-40...85°C
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
附加功能
逻辑电平兼容
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
Clock frequency
56MHz
家人
STM32U0
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
漏极-源极导通最大电阻
0.18 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
68 A
DS 击穿电压-最小值
200 V
雪崩能量等级(Eas)
580 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
125 W
IRL640拓展信息
Vishay Intertechnologies
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