Vishay Intertechnologies SIUD403ED-T1-GE3
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SIUD403ED-T1-GE3
2668-SIUD403ED-T1-GE3
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Small Signal Field-Effect Transistor,
1最小包装量--
SIUD403ED-T1-GE3详情
Vishay Intertechnologies SIUD403ED-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
表面安装
YES
材料
aluminium
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-N3
Date Of Intro
2017-03-22
Drain Current-Max (ID)
0.4 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Type of heatsink
extruded
Heatsink shape
U
Colour
aluminium
Material finishing
raw
Mounting
for back plate
Plate thickness
4.5mm
Gross weight
700 g
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-N3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
1.25 Ω
DS 击穿电压-最小值
20 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
1.25 W
第二个连接器加载的位置数
universal
反馈上限-最大值 (Crss)
7 pF
长度
50mm
宽度
71.8mm
高度
23.5mm
SIUD403ED-T1-GE3拓展信息
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