SI2305CDS-T1-GE3
SI2305CDS-T1-GE3

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Vishay SI2305CDS-T1-GE3

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型号

SI2305CDS-T1-GE3

品牌

Vishay

utmel 编号

2668-SI2305CDS-T1-GE3

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Mosfet P-ch 8V 5.8A SOT23-3 / Trans Mosfet P-ch 8V 4.4A 3-PIN SOT-23 T/r

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SI2305CDS-T1-GE3 Vishay Mosfet P-ch 8V 5.8A SOT23-3 / Trans Mosfet P-ch 8V 4.4A 3-PIN SOT-23 T/r

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SI2305CDS-T1-GE3详情

Vishay SI2305CDS-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 引脚数

    3

  • 质量

    1.437803 g

  • Case/Package

    SOT-23

  • Fall Time

    20 ns

  • Number of Elements

    1

  • RoHS

    Compliant

  • Schedule B

    8541210080, 8541210080|8541210080|8541210080|8541210080|8541210080

  • Turn Off Delay Time

    40 ns

  • 包装

    切割胶带

  • 电阻

    35 mΩ

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -55 °C

  • 最大功率耗散

    960 mW

  • 通道数量

    1

  • 电压

    8 V

  • 元素配置

    Single

  • 电流

    58 A

  • 功率耗散

    960 mW

  • 接通延迟时间

    20 ns

  • 上升时间

    20 ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    -8 V

  • 连续放电电流(ID)

    -4.4 A

  • 阈值电压

    -400 mV

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    8 V

  • 漏源击穿电压

    -8 V

  • 输入电容

    715 pF

  • 最大结点温度(Tj)

    150 °C

  • 漏源电阻

    28 mΩ

  • 最大rds

    50 mΩ

  • 高度

    1.12 mm

  • 长度

    3.04 mm

  • 宽度

    1.4 mm

  • 辐射硬化

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 无铅

    无铅

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