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1

￥0.794403
10

￥0.749437
100

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500

￥0.666996
1000

￥0.629241

Vishay SI2371EDS-T1-GE3

Name: SI2371EDS-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 2668-SI2371EDS-T1-GE3
Price: 0.79 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

SI2371EDS-T1-GE3

品牌

Vishay

utmel 编号

2668-SI2371EDS-T1-GE3

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Mosfet Transistor, P Channel, -4.8 A, -30 V, 0.037 Ohm, -10 V, -1.5 V |Vishay SI2371EDS-T1-GE3

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SI2371EDS-T1-GE3 Vishay Mosfet Transistor, P Channel, -4.8 A, -30 V, 0.037 Ohm, -10 V, -1.5 V |Vishay SI2371EDS-T1-GE3

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SI2371EDS-T1-GE3详情

技术参数

Vishay SI2371EDS-T1-GE3重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
底架

表面贴装
引脚数

3
Case/Package

SOT-23
Fall Time

62 ns
Number of Elements

1
RoHS

Compliant
Schedule B

8541290080, 8541290080|8541290080|8541290080|8541290080|8541290080
Turn Off Delay Time

52 ns
包装

Digi-Reel®
电阻

45 mΩ
最高工作温度

150 °C
最小工作温度

-55 °C
最大功率耗散

1.7 W
通道数量

1
元素配置

Single
功率耗散

1.7 W
接通延迟时间

7 ns
上升时间

65 ns
漏源电压 (Vdss)

-30 V
连续放电电流(ID)

-4.8 A
阈值电压

-600 mV
栅极至源极电压(Vgs)

12 V
漏源击穿电压

-30 V
最大结点温度（Tj）

150 °C
漏源电阻

37 mΩ
最大rds

45 mΩ
高度

1.12 mm
辐射硬化

无
达到SVHC

无SVHC
无铅

无铅

0个相似型号

SI2371EDS-T1-GE3拓展信息

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