SIHG47N60E-E3
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Vishay SIHG47N60E-E3

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型号

SIHG47N60E-E3

品牌

Vishay

utmel 编号

2668-SIHG47N60E-E3

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET, N CH, 600V, 47A, TO-247AC; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Dra

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SIHG47N60E-E3
SIHG47N60E-E3 Vishay MOSFET, N CH, 600V, 47A, TO-247AC; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Dra

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SIHG47N60E-E3详情

Vishay SIHG47N60E-E3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    通孔

  • 引脚数

    3

  • 质量

    38.000013 g

  • Case/Package

    TO-247-3

  • Fall Time

    13 ns

  • Number of Elements

    1

  • RoHS

    Compliant

  • Turn Off Delay Time

    94 ns

  • 电阻

    64 mΩ

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -55 °C

  • 最大功率耗散

    357 W

  • 通道数量

    1

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    357 W

  • 接通延迟时间

    24 ns

  • 上升时间

    11 ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    600 V

  • 连续放电电流(ID)

    47 A

  • 阈值电压

    2.5 V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20 V

  • 漏源击穿电压

    600 V

  • 输入电容

    9.62 nF

  • 最大rds

    64 mΩ

  • 高度

    20.7 mm

  • 长度

    15.87 mm

  • 宽度

    5.31 mm

  • 辐射硬化

  • 达到SVHC

    Unknown

  • 无铅

    无铅

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