Vishay Intertechnologies SI1034CX-T1-GE3
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SI1034CX-T1-GE3
2668-SI1034CX-T1-GE3
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.61A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SC-89, 6 PIN
1最小包装量--
SI1034CX-T1-GE3详情
Vishay Intertechnologies SI1034CX-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
17 Weeks, 3 Days
表面安装
YES
终端数量
6
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
2
Package Style
小概要
Package Shape
RECTANGULAR
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Drain Current-Max (ID)
0.61 A
Package Description
HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SC-89, 6 PIN
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Part Life Cycle Code
活跃
Rohs Code
有
Gross weight
0.028 g
Capacitors series
KAM
Case - mm
1608
Case - inch
0603
Mounting
SMD
Kind of capacitor
MLCC
Type of capacitor
ceramic
Operating temperature
-55...150°C
容差
±10%
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
电容量
12nF
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PDSO-F6
电介质
X8R
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.396 Ω
DS 击穿电压-最小值
20 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
0.22 W
饱和电流
1
Operating voltage
50V
SI1034CX-T1-GE3拓展信息
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