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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥7.162223
10
¥6.756812
100
¥6.374354
500
¥6.013541
1000
¥5.673149
Vishay Intertechnologies SI1900DL-T1-E3
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- 对比
SI1900DL-T1-E3
2668-SI1900DL-T1-E3
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
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Description: Small Signal Field-Effect Transistor, 0.59A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, SC-70, 6 PIN
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SI1900DL-T1-E3详情
Vishay Intertechnologies SI1900DL-T1-E3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
Housing material
nickel-plated brass
终端数量
6
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
2
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
ROHS COMPLIANT, SC-70, 6 PIN
Drain Current-Max (ID)
0.59 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Gross Weight
22.23
Transport packaging size/quantity
39*36*30/350
Indicator type
ring
Switching scheme
ON-(OFF) + OFF-(ON) without fixing
Head and button shape
ring-cone; flat button
Mounting diameter
19 mm
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PDSO-G6
资历状况
不合格
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
Switch type
LAS1-GQ series vandal resistant illuminated button
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.48 Ω
DS 击穿电压-最小值
30 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
0.3 W
饱和电流
1
触点
4Pin+2Pin
SI1900DL-T1-E3拓展信息
Vishay Intertechnologies
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