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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥5.1521
10
¥4.860468
100
¥4.58535
500
¥4.325805
1000
¥4.080947
Vishay Intertechnologies SI2307CDS-T1-E3
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- 对比
SI2307CDS-T1-E3
2668-SI2307CDS-T1-E3
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
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Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB, ROHS COMPLIANT, TO-236, 3 PIN
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SI2307CDS-T1-E3详情
Vishay Intertechnologies SI2307CDS-T1-E3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
ROHS COMPLIANT, TO-236, 3 PIN
Drain Current-Max (ID)
3.5 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Allowable deviation of characteristics
15 %
Maximum power
1 W
Transport package size/quantity
39*33*18/1000
Gross weight
1.58
Package Style
小概要
Package Shape
RECTANGULAR
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
类型
Electrodynamic head (speaker) from the S1500 series
端子表面处理
哑光锡
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
深度
20 mm
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
阻抗
8 Ohm
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
Operating temperature range
-20...+65 °C
JEDEC-95代码
TO-236AB
漏极-源极导通最大电阻
0.088 Ω
设计
with flexible leads
DS 击穿电压-最小值
30 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
1.8 W
饱和电流
1
宽度
10 mm
高度
4 mm
SI2307CDS-T1-E3拓展信息
Vishay Intertechnologies
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