Vishay Intertechnologies SI2312BDS-T1-GE3
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SI2312BDS-T1-GE3
2668-SI2312BDS-T1-GE3
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
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Description: Small Signal Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB, TO-236, SOT-23, 3 PIN
--最小包装量--
SI2312BDS-T1-GE3详情
Vishay Intertechnologies SI2312BDS-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
13 Weeks
表面安装
YES
质量
0.8 kg
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Type of capacitor
ceramic
Kind of capacitor
MLCC
Mounting
SMD
Case - inch
1206
Case - mm
3216
Capacitors series
KGM
Gross weight
825.00
Transport packaging size/quantity
35*16*17/10
Analog
POS40
Melting temperature
183...240 °C
Soldering temperature
285...330 °C
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
不推荐
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
TO-236, SOT-23, 3 PIN
Drain Current-Max (ID)
3.9 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Operating temperature
-55...125°C
包装
coil
容差
±20%
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
类型
Soft lead-tin solder Sn/Pb
端子表面处理
哑光锡
组成
lead - 40%; tin - 60%
电容量
1µF
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
电介质
X7R
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-236AB
表格
wire
漏极-源极导通最大电阻
0.031 Ω
DS 击穿电压-最小值
20 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
0.75 W
饱和电流
1
Operating voltage
16V
直径
1.5 mm
SI2312BDS-T1-GE3拓展信息
Vishay Intertechnologies
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