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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.08058
10
¥1.962812
100
¥1.851709
500
¥1.746895
1000
¥1.648014
Vishay Intertechnologies SI2323DS-T1-E3
- 收藏
- 对比
SI2323DS-T1-E3
2668-SI2323DS-T1-E3
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
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Small Signal Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB, TO-236, SOT-23, 3 PIN
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SI2323DS-T1-E3详情
Vishay Intertechnologies SI2323DS-T1-E3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Type of capacitor
ceramic
Kind of capacitor
MLCC
Mounting
SMD
Case - inch
1206
Case - mm
3216
Capacitors series
KAF
Gross weight
0.063 g
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
TO-236, SOT-23, 3 PIN
Drain Current-Max (ID)
3.7 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Operating temperature
-55...125°C
容差
±5%
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
电容量
2.7nF
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
电介质
X7R
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-236AB
漏极-源极导通最大电阻
0.039 Ω
DS 击穿电压-最小值
20 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
反馈上限-最大值 (Crss)
140 pF
饱和电流
1
Operating voltage
200V
SI2323DS-T1-E3拓展信息
Vishay Intertechnologies
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