注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.27849
10
¥3.092915
100
¥2.917844
500
¥2.752683
1000
¥2.596871
Vishay Intertechnologies SI2337DS-T1-E3
- 收藏
- 对比
SI2337DS-T1-E3
2668-SI2337DS-T1-E3
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
立即发货

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.0012A I(D), 80V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SI2337DS-T1-E3详情
Vishay Intertechnologies SI2337DS-T1-E3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks, 4 Days
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Chip
YDA138-E
Description
Stereo class D amplifier 2x8W with volume control
Power Supply Voltage
12 V
Gross Weight
35.17
Transport Packaging size/quantity
48*31.5*22/140
Signal / Noise Ratio
92 dB
Current Consumption
1500 (2000 max) mA
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
Drain Current-Max (ID)
0.0012 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Operating Temperature-Min
-50 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
深度
58 mm
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-236
漏极-源极导通最大电阻
0.27 Ω
DS 击穿电压-最小值
80 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
2.5 W
电源
output power 2x8 (2x12) W
饱和电流
1
负载阻力
4 (8) ohm
模块类型
Stereo Class D amplifier, type 2
高度
21 mm
宽度
36 mm
SI2337DS-T1-E3拓展信息
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies






哦! 它是空的。