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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥34.465976
10
¥32.515071
100
¥30.674595
500
¥28.938299
1000
¥27.300276
Vishay Intertechnologies SI3552DV-T1-E3
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SI3552DV-T1-E3
2668-SI3552DV-T1-E3
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
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Description: Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-193AA, TSOP-6
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SI3552DV-T1-E3详情
Vishay Intertechnologies SI3552DV-T1-E3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
6
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
TSOP-6
Drain Current-Max (ID)
2.5 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Turn-off Time-Max (toff)
28 ns
Turn-on Time-Max (ton)
25 ns
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
JESD-30代码
R-PDSO-G6
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
极性/通道类型
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
JEDEC-95代码
MO-193AA
漏极-源极导通最大电阻
0.105 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
8 A
DS 击穿电压-最小值
30 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
饱和电流
1
SI3552DV-T1-E3拓展信息
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