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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥7.065067
10
¥6.665158
100
¥6.287887
500
¥5.931968
1000
¥5.596195
Vishay Intertechnologies SI4058DY-T1-GE3
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- 对比
SI4058DY-T1-GE3
2668-SI4058DY-T1-GE3
晶体管 - 特殊用途
--
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Small Signal Field-Effect Transistor,
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¥
总价: ¥
SI4058DY-T1-GE3详情
Vishay Intertechnologies SI4058DY-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
28 Weeks
安装类型
底座安装
表面安装
YES
材料
nickel-plated stainless steel of 201 series
质量
2.42
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
端子材料
48V
外壳材料
1
Transport package size/quantity
42*28*23.5/8000
Metal thickness
S = 0.6 mm
Purpose
for fixing cables and pipes of circular section
厂商
Traco Power
Standard Number
62368-1
Interaxial distance
L = 22 mm
Maximum grip size
C = 8 mm
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
MS-012, SOP-8
Date Of Intro
2016-07-19
Drain Current-Max (ID)
10.3 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
系列
TXO 60 (60W)
包装
Box
操作温度
-20°C ~ 70°C
尺寸/尺寸
3.00" L x 2.00" W x 0.95" H (76.2mm x 50.8mm x 24.1mm)
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
ECCN 代码
EAR99
类型
开放式框架
端子表面处理
哑光锡
应用
ITE (Commercial)
功率(瓦特)
60W
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PDSO-G8
输出的数量
1
审批机构
CB, CE, cURus, UKCA
效率
85%
电压-隔离度
3 kV
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
电流-输出1
1.25 A
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
MS-012AA
最低负载要求
无
漏极-源极导通最大电阻
0.026 Ω
DS 击穿电压-最小值
100 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
5.6 W
输出峰值电流限制-名
85 ~ 264 VAC
反馈上限-最大值 (Crss)
11 pF
Number of sections
1
饱和电流
1
特征
通用输入
宽度
(W) - 12 mm
直径
mounting hole (A) - 4 mm
SI4058DY-T1-GE3拓展信息
Vishay Intertechnologies
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