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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.080889
10
¥1.963106
100
¥1.851983
500
¥1.74715
1000
¥1.648261
Vishay Intertechnologies SI7117DN-T1-E3
- 收藏
- 对比
SI7117DN-T1-E3
2668-SI7117DN-T1-E3
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
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Power Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 150V, 1.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, LEADLESS, 1212-8, POWERPAK-8
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SI7117DN-T1-E3详情
Vishay Intertechnologies SI7117DN-T1-E3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
材料
aluminium
终端数量
5
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
ROHS COMPLIANT, LEADLESS, 1212-8, POWERPAK-8
Drain Current-Max (ID)
1.1 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
UNSPECIFIED
Package Shape
SQUARE
Package Style
小概要
Type of heatsink
extruded
Heatsink shape
U
Colour
aluminium
Material finishing
raw
Mounting
for back plate
Internal width
26.2mm
Gross weight
700 g
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
端子位置
DUAL
终端形式
C 弯管
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
S-XDSO-C5
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
1.3 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
2.2 A
DS 击穿电压-最小值
150 V
雪崩能量等级(Eas)
1.01 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
12.5 W
第二个连接器加载的位置数
LED
饱和电流
1
长度
1m
宽度
53.9mm
高度
34.4mm
SI7117DN-T1-E3拓展信息
Vishay Intertechnologies
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