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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥15.779018
10
¥14.885867
100
¥14.043272
500
¥13.248365
1000
¥12.498458
Vishay Intertechnologies SI7216DN-T1-E3
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- 对比
SI7216DN-T1-E3
2668-SI7216DN-T1-E3
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
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Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 40V, 0.032ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, LEADLESS, 1212-8, POWERPAK-8
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SI7216DN-T1-E3详情
Vishay Intertechnologies SI7216DN-T1-E3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
6
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
2
Package Style
小概要
Package Shape
SQUARE
Package Body Material
UNSPECIFIED
Operating Temperature-Max
150 °C
Drain Current-Max (ID)
6.5 A
Package Description
ROHS COMPLIANT, LEADLESS, 1212-8, POWERPAK-8
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Part Life Cycle Code
活跃
Rohs Code
有
Gross weight
1200 g
Internal width
60mm
Internal height
35mm
External width
80mm
External height
49mm
Version
frames openable from inner radius,
Bending radius
125mm
Manufacturer series
MEDIUM
Type of cable accessories
cable chain
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
端子位置
DUAL
终端形式
C 弯管
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
S-XDSO-C6
资历状况
不合格
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.032 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
20 A
DS 击穿电压-最小值
40 V
雪崩能量等级(Eas)
5 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
20.8 W
饱和电流
1
长度
1m
SI7216DN-T1-E3拓展信息
Vishay Intertechnologies
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