SI8805EDB-T2-E1
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Vishay Intertechnologies SI8805EDB-T2-E1

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型号

SI8805EDB-T2-E1

utmel 编号

2668-SI8805EDB-T2-E1

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: Small Signal Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 8V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 0.80 X 0.80 MM, 0.357 MM HEIGHT, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, ULTRA SMALL, MICRO FOOT-4

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SI8805EDB-T2-E1
SI8805EDB-T2-E1 Vishay Intertechnologies Description: Small Signal Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 8V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 0.80 X 0.80 MM, 0.357 MM HEIGHT, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, ULTRA SMALL, MICRO FOOT-4

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SI8805EDB-T2-E1详情

Vishay Intertechnologies SI8805EDB-T2-E1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    4

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 外壳材料

    1

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

  • Package Description

    0.80 X 0.80 MM, 0.357 MM HEIGHT, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, ULTRA SMALL, MICRO FOOT-4

  • Drain Current-Max (ID)

    3.1 A

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    SQUARE

  • Package Style

    网格排列

  • JESD-609代码

    e3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    哑光锡

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • JESD-30代码

    S-PBGA-B4

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    P-CHANNEL

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.088 Ω

  • DS 击穿电压-最小值

    8 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    0.9 W

  • 饱和电流

    1

0个相似型号

技术文档: Vishay Intertechnologies SI8805EDB-T2-E1.

SI8805EDB-T2-E1拓展信息

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SI4848DY-T1-E3
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