注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.496696
10
¥2.355374
100
¥2.222051
500
¥2.096274
1000
¥1.977617
Vishay Intertechnologies SIA906EDJ-T1-GE3
- 收藏
- 对比
SIA906EDJ-T1-GE3
2668-SIA906EDJ-T1-GE3
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
立即发货

Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SC-70, POWERPAK-6
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SIA906EDJ-T1-GE3详情
Vishay Intertechnologies SIA906EDJ-T1-GE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
6
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
2
Type of enclosure
multipurpose
Dimension X
308mm
Dimension Y
438mm
Dimension Z
144.5mm
Enclosure series
AUG
Enclosure material
aluminium
Body colour
silver
Side colour
grey
Dimensions
See
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Package Description
HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SC-70, POWERPAK-6
Drain Current-Max (ID)
4.5 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
UNSPECIFIED
Package Shape
SQUARE
Package Style
小概要
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
JESD-30代码
S-XDSO-N6
资历状况
不合格
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.046 Ω
DS 击穿电压-最小值
20 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
7.8 W
饱和电流
1
SIA906EDJ-T1-GE3拓展信息
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies
Vishay Intertechnologies






哦! 它是空的。