Vishay Intertechnologies SIHG20N50C-E3

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

外壳材料

1

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

生命周期结束

Ihs Manufacturer

VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

Drain Current-Max (ID)

20 A

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

FLANGE MOUNT

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

unknown

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-247AC

漏极-源极导通最大电阻

0.27 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

80 A

DS 击穿电压-最小值

500 V

雪崩能量等级（Eas）

361 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

292 W