Vishay Intertechnologies SIS892DN-T1-GE3

表面安装

YES

终端数量

5

晶体管元件材料

SILICON

外壳材料

1

Package Style

小概要

Package Shape

SQUARE

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Drain Current-Max (ID)

30 A

Package Description

HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, 1212-8, POWERPAK-8

Ihs Manufacturer

VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

Part Life Cycle Code

不推荐

Rohs Code

有

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

终端形式

C 弯管

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

JESD-30代码

S-PDSO-C5

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.029 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

50 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

雪崩能量等级（Eas）

5 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

52 W